SK海力士官宣321层4D NAND UFS 4.1芯片，比上一代薄15%
SK海力士宣布开发出了基于321层4D NAND闪存的UFS 4.1存储解决方案。这些超高密度的NAND芯片比上一代薄15%，将为UFS 4.1集成电路提供支持，预计会提供512GB和1TB的容量，将在今年内应用于PC固态硬盘，并将于2026年第一季度应用于智
海力士
手机存储飞跃！SK海力士拿出321层4D闪存的UFS 4.1
SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。
SK海力士发布321层UFS 4.1闪存，能效提升7%，2026年量产
2025年5月22日，SK海力士宣布成功研发出全球首款采用321层1Tb TLC 4D NAND技术的UFS 4.1闪存产品，该产品提供512GB和1TB两种容量版本。
SK Hynix 推出 321 层 UFS 4.1 比上一代更快、更薄、更高效
内存制造商 SK 海力士宣布推出全球首款适用于智能手机的 321 层 UFS 4.1 TLC NAND 闪存，它速度更快、效率更高、体积更小，非常适合注重轻薄机身和 AI 工具的下一代手机。
SK海力士成功开发出基于321层NAND闪存的解决方案产品UFS 4.1
具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧AI进行优化产品厚度减薄15%，适用于超薄旗舰智能手机“凭借全球最高321层的产品组合，公司将在NAND闪存领域进一步巩固‘全方位面向AI的存储器供应商’的地位”
SK海力士已开发基于321层1Tb 4D NAND闪存的UFS 4.1产品，厚度减少15%
SK海力士宣布，已开发出UFS 4.1产品，采用了全球最高的321层1Tb 4D NAND闪存，适用于移动应用，可选512GB和1TB两种容量。SK海力士表示，正通过构建具有AI技术优势的产品组合来扩大其在NAND领域作为全栈AI内存提供商的地位。
SK海力士展示HBM4，黄仁勋赞叹
由于SK海力士向英伟达提供的HBM模型安装在Blackwell，这是为了强调英伟达的合作伙伴关系。
SK海力士突破！321层NAND闪存UFS 4.1移动端解决方案亮相
SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，成功研发出搭载全球最高堆叠层数的321层1Tb TLC 4D NAND闪存的移动端解决方案——UFS 4.1。这一创新成果标志着SK 海力士在移动存储技术领域迈出了重要一步。
SK海力士开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
SK海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时，
SK海力士成功开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
SK 海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。
一季度NAND全球市场环比减少25%
根据CFM闪存市场数据显示，量价齐跌令NAND Flash市场规模连续两个季度下滑，2025年一季度全球NAND Flash市场规模环比和同比均发生下滑，仅为130.1亿美元，为五个季度以来的最低水平，环比减少25.3%，同比减少14.2%。
DRAM价格飙升，NAND将反弹
受中东人工智能投资和全球关税担忧的推动，DRAM 价格飙升，HBM 需求旺盛，预计将提振三星电子和 SK 海力士的盈利。主要客户正争相在美国可能加征关税之前囤积 DRAM，而美国芯片制造商英伟达与沙特阿拉伯达成的大规模人工智能芯片交易，也为韩国领先的内存芯片制
全球闪存大厂减产，2025年第二季度价格能否迎来反弹？
近期，全球NAND闪存市场迎来重大调整动向。据工商时报最新报道，全球五大NAND闪存制造商——三星、SK海力士、美光、铠侠和西部数据，计划在2025年上半年共同实施减产策略，减产比例预计介于10%至15%之间，旨在改善长期存在的供过于求状况。
存储封测厂急单涌现
存储报价近期喊涨，业界指出，由于三星、SK海力士及美光等存储大厂将众多产能移转至供给AI客户的HBM，加上先前持续的减产效应，使得DARM、NAND Flash市况向好。
HBM爆火：SK海力士，再超三星
今年第一季度，SK Siltron 向 SK 海力士出售的硅晶圆数量超过了向三星电子出售的硅晶圆数量。这一转变归因于 SK 海力士近期在高带宽内存 (HBM) 和服务器 DRAM 方面取得的成功，使其产量增长超过了近期陷入困境的三星电子。
卖4亿的光刻机，DRAM大厂推迟引进
三星电子和 SK 海力士将推迟引进 ASML 用于其 DRAM 曝光工艺的“高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV)”设备。这是由于天文数字般的设备价格和 DRAM 架构即将发生的变化。
DRAM芯片，“甜蜜点”已至
DRAMeXchange 4月30日数据显示，用于个人电脑的通用DRAM DDR4 8Gb（千兆字节）产品的固定交易价格为1.65美元，较3月份上涨22.22%。用于存储卡和USB的128Gb MLC NAND闪存的固定交易价格也较3月份上涨11.06%，达到
10张图，一鉴半导体市场的“赢家”与“输家”
据世界半导体市场统计组织（WSTS）统计，2025年1-3月全球半导体市场规模较去年同期增长18.8%，表现强劲。从个别产品来看，内存销售额增长24.7%，逻辑销售额增长36.9%，表现强劲。
【硬件资讯】内存再涨！真当自己金条了？SK海力士与三星确认涨价，内存也和金价挂钩了？？那也该跌了吧？
三星已经为NAND闪存和DRAM产品线制定新的定价策略，覆盖全球主要客户，价格将在当前基础上提高3%~5%。部分客户已经开始了谈判，主要与当前的地缘政治紧张局势有关，关税和贸易不确定性很可能导致未来数月存储器价格飙升。
三星准备采用HBM4混合键合技术以降低发热量并提升带宽
在最近于首尔举行的人工智能半导体论坛上，三星电子透露，其即将推出的HBM4内存堆栈将采用混合键合技术。此举旨在降低热阻并实现大带宽内存接口。随着人工智能和高性能计算应用对带宽和效率的要求越来越高，这些特性变得越来越重要。